Цель курса

Курс предназначен для студентов бакалавриата, обучающихся по специальностям: фундаментальные основы материаловедения и науки о материалах. Цель курса – освоение студентами фундаментальных знаний в области физики твёрдого тела и полупроводников, формирование у них целостной системы представлений о понятиях и моделях современной физики твердого тела и физики полупроводников, получение ими необходимых знаний по использованию физических свойств и процессов в твердых телах и полупроводниках в современных технологиях, приборах и устройствах.

Краткое описание учебной дисциплины

Дисциплина «Физика твердого тела и полупроводников» нацелена на описание физических свойств твёрдых тел, исходя из их атомно-молекулярного строения. Физика твёрдого тела (ФТТ) рассматривает свойства материи в твердых телах, в которых взаимодействие между составляющими частицами имеет решающее значение. ФТТ – раздел физики конденсированного состояния вещества. Отличительной особенностью ФТТ является принципиальная необходимость сочетания квантово-механического и классического подходов в описании свойств веществ.  Примерно 40% курса посвящено общим вопросам ФТТ, включая основы электронной зонной теории, квантовые модели теплопроводности, магнитных свойств материалов, теплопроводности и электропроводности металлов, а также сверхпроводимости. Остальные 60% курса посвящены физике полупроводников, включая описание электронной зонной структуры основных полупроводниковых материалов, изложение основ квантовой статистики носителей заряда, теоретического описания кинетических и неравновесных процессов в полупроводниках, а также контактных, поверхностных и оптических явлений в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах и новых материалах.

В результате освоения курса студент должен:

знать основные положения квантовой теории твердого тела, квантовые модели теплопроводности и электропроводности твердых тел, природу магнитных свойств твердых тел и явления сверхпроводимости, основы зонной теории полупроводников, зонные структуры основных полупроводниковых материалов, основы равновесной и неравновесной статистики носителей заряда, контактных, поверхностных и кинетических явлений в полупроводниках, особенности электронных и оптических свойств полупроводниковых кристаллов и наноструктур;

уметь проводить количественный анализ физических свойств твердых тел, таких как теплоемкость, электропроводность и теплопроводность, магнитные свойства в рамках квантовой теории твердого тела, выполнять  расчеты основных параметров электронной структуры, температурных зависимостей уровня Ферми и концентраций носителей заряда, параметров, характеризующих неравновесные, контактные, поверхностные, кинетические эффекты и оптические явления в полупроводниках, использовать полученные знания для теоретического описания и экспериментального изучения физических свойств полупроводников;

владеть навыками решения задач по определению физических параметров и характеристик твердых тел, таких как: эффективная масса, энергия Ферми, концентрация и подвижность свободных носителей заряда; задач на выявление закономерностей магнитных явлений, таких как: эффект Холла, магнетосопротивление; магнитных свойств: таких как парамагнетизм, диамагнетизм и ферромагнетизм в твердых телах; терминологией описания явления сверхпроводимости и характеристик фононов, а также описанием кинетических и оптических явлений в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах.

Темы занятий (лекций, семинаров, проектов)

Тема 1: Введение: предмет и структура курса, основные типы твердых тел, основные понятия и теоретические подходы.

Тема 2: Электронные энергетические зоны в кристаллах.

Тема 3: Свободный электронный газ Ферми в металлах.

Тема 4: Энергетические зоны и поверхность Ферми.

Тема 5: Магнитные свойства твердых тел.

Тема 6: Сверхпроводимость.

Тема 7: Фононы.

Тема 8: Классификация, структурные и электронные свойства основных полупроводников.

Тема 9: Статистика носителей заряда в полупроводниках.

Тема 10: Кинетические явления в полупроводниках.

Тема 11: Неравновесные процессы в полупроводниках.

Тема 12: Контактные и поверхностные явления в полупроводниках.

Тема 13: Оптические свойства полупроводников.

Тема 14: Полупроводниковые наноструктуры и новые материалы.

Продолжительность учебной дисциплины (курса)

18 учебных недель

72 часа лекций

54 часа семинаров

Форма отчетности

Экзамен

Максимальное количество баллов/процентов

100 баллов (100%)

Структура финальной оценки (сколько процентов/баллов финальной оценки занимает каждый из видов работы студента)

·      Посещение курса обязательно

·      Домашняя/самостоятельная работа 20%

·      Выполнение контрольных работ (тестирование) 20%

·      Подготовка докладов на семинарские занятия 20%

·       Итоговая аттестация 40%                                       

Какое количество занятий может быть пропущено без уважительной причины?

0

Список рекомендуемой литературы

1.  Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. М.-Наука, 1978.

2.  Г.А. Миронова. Конденсированное состояние вещества: от структурных единиц до живой материи. Т.1. М., Издательство Физического факультета МГУ, 2004.

3.  В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. М., Наука, 1990.

4.  К.В. Шалимова. Физика полупроводников. М., Энергоатомиздат, 1985.

5.  П. Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников. М., Физматлит, 2002.

Дополнительные материалы и рекомендуемые Интернет-ресурсы

1. Н. Ашкрофт, Н. Мермин. Физика твердого тела. М. Мир. 1979.

2. S. Simon. The Oxford Solid State Basics. Oxford University Press. 2013.

3. В. Я. Алешкин. Современная физика полупроводников. Курс лекций. Н.Новг., 2013

4. Г.Г. Зегря, В.И. Перель. Основы физики полупроводников. Москва, Физматлит, 2009.

5. П. К. Кашкаров, В. Ю. Тимошенко. Оптика твердого тела и систем пониженной размерности. М., Издательство Физического факультета МГУ, 2009.

6. В. Б. Тимофеев, Оптическая спектроскопия объемных полупроводников и наноструктур, СПб, Изд. «Лань» 2014.

7. F. Meier, B.P. Zakharchenya. Optical Orientation. Elsevier, Amsterdam, 1984.

8. Интернет-ресурс: http://www.matprop.ru/


Структурная химия и кристаллохимия

 

Еремина Татьяна Александровна

доцент, кандидат химических наук

 

Цель курса

Ознакомить студентов с фундаментальными и прикладными основами теории симметрии кристаллов, с основными подходами описания кристаллических структур во взаимосвязи  со свойствами неорганических химических соединений

Краткое описание учебной дисциплины

Курса раскрывает основные принципы строения вещества. Раскрывает перед студентами основы теории симметрии кристаллов, не встречающиеся ни в одном курсе химических дисциплин. Материалы курса структурируют уже полученные студентами знания о веществе, а в дальнейшем способствуют более эффективному освоение других курсов. В курсе описаны основные методы структурного анализа кристаллических структур в аспекте связи структурных особенностей химических соединении со свойствами. Курс знакомит с основными категориями кристаллохимии. Отражен современный этап развития кристаллохимического анализа, одной из основополагающих принципов которого является кристаллохимический прогноз на основе теоретических расчетов.

Знания основ строения вещества находит практическое применение в синтезе новых материалов с заданными свойствами.

Темы занятий (лекций, семинаров, практических занятий)

Темы занятий

Тема1. Основы макросимметрии

Тема2. Основы микросимметрии

Тема3. Атом как объект кристаллохимического анализа.

Тема4. Атом в кристалле. Свойства атомов, важные для кристаллохимии

Тема5. Энергия сцепления атомов в кристалле. Виды химической связи.

Тема6. Категории кристаллохимии. Полиморфизм, изоморфизм, политипизм, морфотропия,  гомология.

Тема 7. Расширение понятия симметрии.

Продолжительность учебной дисциплины (курса)

27 лекций

27 семинаров

Форма отчетности

Экзамен

Максимальное количество баллов/процентов

100 баллов/100%

Структура финальной оценки (сколько баллов/процентов финальной оценки занимает каждый из видов работ студента)

Посещение курса – обязательно

 

Домашние (8)  - 30 баллов (30%)

Самостоятельные работы (1) – 10 баллов (10%)

Контрольные работы (2) – 40 баллов (40%)

Экзамен – 20 баллов (20%)

 

Какое количество занятий может быть пропущено без уважительной причины

0

Список рекомендуемой литературы

Еремин. Н.Н., Марченко Е.Г., Еремина Т.А. Кристаллохимия и структурная химия для совместного университета МГУ – ППИ

Дополнительные рекомендуемые материалы и интернет-ресурсы

Егоров-Тисменко Ю.К., Литвинская Г.П. Теория симметрии кристаллов //Москва ГЕОС 2000г.

Егоров-Тисменко Ю.К. Кристаллография и Кристаллохимия, Москва, Университетский книжный дом, 592 стр

Урусов В.С., Еремин Н.Н. Кристаллохимия. Краткий курс, Москва, Изд-во МГУ, 258 стр.

Еремин Н.Н., Еремина Т.А. Неорганическая кристаллохимия. Книга 1. М.: КДУ, 2018, 394 с.